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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13,5W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PJQ4437EP-R2
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     PJQ4437EP_R2_00201
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: DFN3333-8
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -38A
Widerstand im Leitungszustand: 15,4mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 13,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Gate-Ladung: 32nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: -123A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.