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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7,4A; Idm: -29,6A; 2W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PJS6421-AU-S1
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     PJS6421-AU_S1_000A1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23-6
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -7,4A
Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band
Gate-Ladung: 16,5nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: -29,6A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.