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Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -1,5A; Idm: -6A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-QS5U23TR
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     QS5U23TR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TSOT25
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -1,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,34Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET + Schottky
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Ausführung: ESD
Gate-Ladung: 4,2nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: -6A
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