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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7,5A; Idm: -30A; 2W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-RF4E075ATTCR
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RF4E075ATTCR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: DFN2020-8S
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -7,5A
Widerstand im Leitungszustand: 21,7mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 22nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -30A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.