IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; 6A; Ch: 2; 4,5÷8VDC

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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO8
Versorgungsspannung: 4,5...8V DC
Ausgangsstrom: 6A
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Impulsanstiegszeit: 10ns
Impulsabfallzeit: 5ns
Anzahl Kanäle: 2
Ausgangs-Art: reversibel;nicht reversibel
Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Totzeit;integrated bootstrap functionality;UVLO (UnderVoltage LockOut)
Verpackungs-Art: Tube
Sicherung: Unterspannung UVP
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;Steuerung für Gates
Topologie: MOSFET Halbbrücke