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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 63W; ITO220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-TSM60NE180CIT-C0G
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     TSM60NE180CIT C0G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: ITO220AB
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 13A
Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 63W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 34nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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