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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 19W; PDFN56


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-TSM650N15CR-RLG
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     TSM650N15CR RLG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: PDFN56
Drain-Source Spannung: 150V
Drainstrom: 4A
Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 19W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band
Gate-Ladung: 36nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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