IGBT bei Mercateo günstig kaufen (Seite 10/110)

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Infineon IGBT-Modul / 50 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = EASY2B Channel-Typ = N

Infineon

FP50R12KT4PBPSA1

ab € 1 005,59*
pro 10 Stück

Mitsubishi IGBT-Modul / 100 20V max. 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...

Mitsubishi

CM100RX-24T #300G

ab € 1 003,45005*
pro 9 Stück

onsemi IGBT-Modul / 40 A, 600 V 113 W, 27-Pin SPM27 GC N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Verlustleistung max. = 113 W Gehäusegröße = SPM27 GC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 27 Schaltgeschwindigkeit = 20k...

onsemi

FPDB40PH60B

ab € 997,3704*
pro 60 Stück

Infineon IGBT-Modul / 50 A ±20V max., 1200 V 160 W, 23-Pin ECONO2 N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 160 W Konfiguration = Dreiphasenbrücke Montage-Typ = PCB-Montage Channel...

Infineon

FP50R12KT4B11BOSA1

ab € 990,21*
pro 10 Stück

onsemi IGBT / 200 A 15V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 15V Verlustleistung max. = 268 W Gehäusegröße = TO-247-4LD

onsemi

FGH4L50T65SQD

ab € 989,703*
pro 450 Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,5 kA 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,5 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Prime3+ Channel-Typ = N Pinanzahl = 10 Transistor-...

Infineon

FF1500R17IP5PBPSA1

ab € 989,07*
pro Stück

Infineon IGBT-Modul / 825 A Dual, 3300 V 2400 kW AG-IHVB130 (2 Angebote)

Dauer-Kollektorstrom max. = 825 A Kollektor-Emitter-Spannung = 3300 V Verlustleistung max. = 2400 kW Gehäusegröße = AG-IHVB130

Infineon

FZ825R33HE4DBPSA1

ab € 987,79*
pro Stück

Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 31-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Chassismontage Channel-Typ = N ...

Infineon

FP75R12N2T7B11BPSA1

ab € 987,29*
pro 10 Stück

Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max. , 1200 V 790 W (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 790 W

Infineon

FD150R12RT4HOSA1

ab € 964,96*
pro 10 Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,5 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,5 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Prime3+ Channel-Typ = N Pinanzahl = 10 Transistor-...

Infineon

FF1500R12IE5BPSA1

ab € 963,82*
pro Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,5 kA 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal (1 Angebot)

Infineon

FF1500R17IP5BPSA1

ab € 962,55*
pro Stück

Infineon IGBT-Modul / 825 A Dual, 3300 V 2400 kW AG-IHVB130 (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 825 A Kollektor-Emitter-Spannung = 3300 V Verlustleistung max. = 2400 kW Konfiguration = Single

Infineon

FZ825R33HE4DBPSA1

ab € 961,88*
pro Stück

Mitsubishi IGBT-Modul / 300 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 300 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...

Mitsubishi

CM300DX -24T #300G

ab € 959,46003*
pro 9 Stück

Mitsubishi IGBT-Modul / 150 A 20V max. Dual, 600 V 1,09 kW 94 x 34 mm (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 1,09 kW Gehäusegröße = 94 x 34 mm Transistor-Konfiguration = Dual

Mitsubishi

CM150DY-13T#300G

ab € 954,14*
pro 10 Stück

Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V max., 1200 V 500 W, 24-Pin ECONO2 N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 500 W Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke Montage-Typ = PCB-Montage Cha...

Infineon

F475R12KS4B11BOSA1

ab € 952,18*
pro 10 Stück

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