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onsemi IGBT / 200 A 15V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2410725
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FGH4L50T65SQD
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 15V
Verlustleistung max. = 268 W
Gehäusegröße = TO-247-4LD
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
200 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
15V
Verlustleistung max.:
268 W
Gehäusegröße:
TO-247-4LD
Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2410725, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGH4L50T65SQD, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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