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Infineon IGBT-Modul / 50 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2184356
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP50R12KT4PBPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = EASY2B
Channel-Typ = N
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Gehäusegröße:
EASY2B
Channel-Typ:
N
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2184356, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP50R12KT4PBPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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