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  infineon  (13.547 Angebote unter 17.414.849 Artikeln)

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Infineon IPB180N10S402ATMA1 N-Kanal MOSFET Transistor / 180 A PG-TO263-7-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 180 A Gehäusegröße = PG-TO263-7-3
Infineon
IPB180N10S402ATMA1
ab € 4,18*
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Infineon IPB023N04NF2SATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 122 A, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 122 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Infineon
IPB023N04NF2SATMA1
ab € 1,13*
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Infineon IPB60R060C7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPB60R060C7ATMA1
ab € 5,43*
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Infineon IPB060N15N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 136 A PG-TO263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 136 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB060N15N5ATMA1
ab € 4,72*
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Infineon IPB180P04P403ATMA2 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A PG-TO263-7-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 180 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PG-TO263-7-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB180P04P403ATMA2
ab € 2,77*
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Infineon IPB032N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 166 A PG-TO263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 166 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB032N10N5ATMA1
ab € 3,60*
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Infineon IPB60R299CPAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB60R299CPAATMA1
ab € 1,99*
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Infineon IPB100N12S305ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 166 A PG-TO263-3-2 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 166 A Drain-Source-Spannung max. = 120 V Gehäusegröße = PG-TO263-3-2 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB100N12S305ATMA1
ab € 3,00*
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Infineon IPB35N10S3L26ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPB35N10S3L26ATMA1
ab € 1,24*
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Infineon IPB039N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 160 A PG-TSDSON-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 160 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TSDSON-8 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB039N10N3GATMA1
ab € 1,80*
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Infineon IPB65R099CFD7AATMA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 107 A, 3-Pin TO-263 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 107 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPB65R099CFD7AATMA1
ab € 2,93*
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Infineon IPB120N06S403ATMA2 N-Kanal MOSFET Transistor / 120 A PG-TO263-3-2 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Gehäusegröße = PG-TO263-3-2
Infineon
IPB120N06S403ATMA2
ab € 1,67*
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Infineon IPB80N08S2L07ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 75 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPB80N08S2L07ATMA1
ab € 2,05*
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Infineon IPB042N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 137 A PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 137 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO252-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB042N10N3GATMA1
ab € 1,78*
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Infineon IPB65R150CFDATMA2, SMD MOSFET 700 V / 22,4 A PG-TO 263-3 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 22,4 A Drain-Source-Spannung max. = 700 V Gehäusegröße = PG-TO 263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB65R150CFDATMA2
ab € 2,72*
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