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Infineon IPB65R099CFD7AATMA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 107 A, 3-Pin TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2732777
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB65R099CFD7AATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 107 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
107 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-263
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: mosfet to-263, 2732777, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB65R099CFD7AATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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