ixys rf mosfet  (470 gefilterte Angebote unter 17.323.630 Artikeln)Zum Expertenwissen

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id:...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024 ohm Produktpalette: PolarHT MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Ka...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id:...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dau...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dau...

IXYS IXTH360N055T2 MOSFET 1 N-Kanal 935 W TO-247AD Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betrieb...

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 64ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W ...

Lastspannung, max.: 60 V Produktpalette: OptoMOS Series Lasttyp: AC / DC Isolationsspannung: 1.5 kV Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1 µA I/O-Kapazität: 1 pF Bauform MOSFET-Relais: SOP-4...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXTK17N120L, Abfallzeit=83 ns, Anstiegzeit=31 ns, Ausschaltverzögerung=110 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=...

Bauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 100 V Verlustleistung: 480 W Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=MMIX1F420N10T, Abfallzeit=255 ns, Anstiegzeit=155 ns, Ausschaltverzögerung=115 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (V...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXFH120N15P, Abfallzeit=26 ns, Anstiegzeit=42 ns, Ausschaltverzögerung=85 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=1...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXFR15N100Q3, Abfallzeit=8 ns, Anstiegzeit=10 ns, Ausschaltverzögerung=30 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=1...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXTH12N100L, Abfallzeit=65 ns, Anstiegzeit=55 ns, Ausschaltverzögerung=110 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=...

Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5 V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05 ohm Produktpalette: Q3-Class HiperFET Anza...