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  modul  (130 376 Angebote unter 18 325 612 Artikeln)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 135A Kollektorstrom im Impuls: 280A Elek...
IXYS
MDNA360UB2200PTED
€ 327,28*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX452GAL126HDS 27890685
€ 446,89*
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100%
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 450A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAL12E4S 27890144
€ 509,77*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 29A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 29A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB176V1 25231910
€ 342,60*
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100%
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 450A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAL17E4P 27894424
€ 622,39*
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100%
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 21A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 21A Kollektorstrom im Impuls: 35A ...
Powersem
PSSI 25/12
€ 20,74*
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100%
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX603GAL12E4P 27895020
€ 744,77*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Trench (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack PFP Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 310A Elektrische Montage: Press-Fit Mechanische Montage: schraubba...
IXYS
MITA300RF1700PTED
€ 217,83*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 600A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 4s Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX604GAL12E4S 27890154
€ 660,73*
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100%
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 23NAB12T7V1 25231860
€ 206,62*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GAL12F4G 22896150
€ 201,59*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F4.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F4S
€ 44,92*
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100%
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im ...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 38NAB12T7V1 25231930
€ 521,05*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXA30RG1200DHGLB
€ 9,23*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GAL126D 21916010
€ 434,50*
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