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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-MDNA360UB2200PTED
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MDNA360UB2200PTED
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: IXYS
Gehäuse: E2-Pack
Rückspannung max.: 1,7kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 135A
Kollektorstrom im Impuls: 280A
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: 3-Phasendiodenbrücke;NTC Thermistor;boost chopper
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