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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXA30RG1200DHGLB
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXA30RG1200DHGLB
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
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Hersteller: IXYS
Gehäuse: SMPD-B
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 30A
Kollektorstrom im Impuls: 75A
Verlustleistung: 147W
Elektrische Montage: SMT
Modul-Typ: IGBT
Technologie: ISOPLUS™;Sonic FRD™
Topologie: boost chopper
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.