mosfet 100v  (40 gefilterte Angebote unter 17 620 805 Artikeln)Zum Expertenwissen

Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Qualifikation: - Verlustleistung: 310 W Transistormontage: Through Hole Dauer-Drainstrom Id: 75 A Drain-Source-Spannung Vds: 100 V Produktpalett...

MOSFETs, IRFP150NPBF, Infineon Technologies Der IRFP150NPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 44 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-...

MOSFET NFET s Reihe IRF../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF530, N, 100 V, 160 mOhm, 14 A, 88 W, TO220

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id:...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id...

Transistoren Reihe IRF. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF9540, TO220AB, Vishay

Transistoren Reihe IRF. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF9520, TO220, Vishay

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12,8 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = QFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id...