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  mosfet d2pak  (1 179 gefilterte Angebote unter 17 332 482 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 9.7 A, TO-252-3, IRF52 (3 Angebote) 
MOSFETs, IRF520NSTRLPBF, Infineon Technologies Der IRF520NSTRLPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswide...
Infineon
IRF520NSTRLPBF
ab € 1,365*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon AUIRLS3036-7P Transistor 60 V (1 Angebot)
Infineon
AUIRLS3036-7P
ab € 4,20*
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 Stück
MOSFET, N-Kanal, 650V, 22A, TO-263 (4 Angebote) 
Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXFA22N65X2, Abfallzeit=18 ns, Anstiegzeit=37 ns, Ausschaltverzögerung=42 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=6...
IXYS
IXFA22N65X2
ab € 2,56*
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 Stück
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 40 V, 195 A, D2PAK, IRFS7437T (3 Angebote) 
MOSFETs, IRFS7437TRLPBF, Infineon Technologies Features * Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit * Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA * Verbesserte dV...
Infineon
IRFS7437TRLPBF
ab € 0,78*
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 Stück
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 110 A, TO-263, IRF3205S (5 Angebote) 
MOSFETs, IRF3205STRLPBF, Infineon Technologies Der IRF3205STRLPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswide...
Infineon
IRF3205STRLPBF
ab € 0,65*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET, P-Kanal, 100V, 38A, TO-263 (5 Angebote) 
Bezeichnung=MOSFET, Typ=IRF5210STRLPBF, Abfallzeit=55 ns, Anstiegzeit=63 ns, Ausschaltverzögerung=72 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds...
Infineon
IRF5210STRLPBF
ab € 1,26*
pro Stück
 
 Stück
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 85 A, TO-252-3, IRF1010 (4 Angebote) 
MOSFETs, IRF1010NSTRLPBF, Infineon Technologies Der IRF1010NSTRLPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswi...
Infineon
IRF1010NSTRLPBF
ab € 0,63886*
pro Stück
 
 Stück
Infineon HEXFET IRF640NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 18 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
Infineon
IRF640NSTRLPBF
ab € 8,58*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon HEXFET IRF530NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 70 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-...
Infineon
IRF530NSTRLPBF
ab € 10,35*
pro 20 Stück
 
 Packung
Infineon OptiMOS™ 3 IPB200N15N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Serie = OptiMOS™ 3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ Channel-Modus = Enhancement G...
Infineon
IPB200N15N3GATMA1
ab € 1,86*
pro 2 Stück
 
 Packung
Infineon IPB320N20N3 G Transistor 200 V (3 Angebote)
Infineon
IPB320N20N3GATMA1
ab € 1,3783*
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 Stück
Infineon OptiMOS™ 3 IPB017N06N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 180 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = OptiMOS™ 3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 1,7 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...
Infineon
IPB017N06N3GATMA1
ab € 2,12*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPB025N10N3 G Transistor 120 V (3 Angebote)
Infineon
IPB025N10N3GATMA1
ab € 2,59*
pro Stück
 
 Stück
Infineon OptiMOS™ 3 IPB036N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7 (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 180 A Drain-Source-Spannung max. = 120 V Serie = OptiMOS™ 3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 3,6 mΩ Channel-Modus = Enhancement...
Infineon
IPB036N12N3GATMA1
ab € 2,32*
pro Stück
 
 Stück
Infineon SIPMOS® SPB80P06PGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Channel-Modus = Enh...
Infineon
SPB80P06PGATMA1
ab € 2,43*
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