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"MOSFET"

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Infineon IPD65R660CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6 A, 3-Pin TO-252 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPD65R660CFDAATMA1
ab € 1,19*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 93ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 40...
IXYS
IXTP130N15X4
ab € 3,69*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD80R2K7C3AATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 2,7 Ohm Gate-Schwellenspan...
Infineon
IPD80R2K7C3AATMA1
ab € 0,86*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPD050N10N5ATMA1
ab € 2 633,90*
pro 2 500 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 89A; Idm: 355A; 211W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: THT Gehäuse: TO220AB;SOT78 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 89A Widerstand im Leitungszustand: 23,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 211W Polarisieru...
Nexperia
PSMN9R5-100PS,127
ab € 1,30*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 52W Polarisier...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJP25N15B
ab € 0,24*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPD80R2K7C3AATMA1
ab € 1 420,25*
pro 2 500 Stück
 
 Packung
Infineon IPD80R450P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-252 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPD80R450P7ATMA1
ab € 1,18*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD130N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 52 A PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO252-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPD130N10NF2SATMA1
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 60A; 62W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 38mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62W Polarisierung: u...
Vishay
SI7738DP-T1-E3
ab € 1,57*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD95R450P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 14 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 950 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 450 mO Gate-Schwellenspan...
Infineon
IPD95R450P7ATMA1
ab € 1,40*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD19DP10NMATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 13,7 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 13,7 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPD19DP10NMATMA1
ab € 0,90*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; 76ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS i4-pac™ x024d Bereitschaftszeit: 76ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustl...
IXYS
IXTF200N10T
ab € 6,65*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPP530N15N3GXKSA1
ab € 0,98*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD95R750P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 950 V / 9 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 950 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPD95R750P7ATMA1
ab € 1,00*
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