MOSFET bei Mercateo günstig kaufen (Seite 1 547/1 719)

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Vishay SIA4265EDJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 9 A PowerPAK SC-70 (2 Angebote)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-70 Montage-Typ = SMD

Vishay

SIA4265EDJ-T1-GE3

ab € 364,02*
pro 3 000 Stück

Vishay SIP32431DR3-T1GE3 MOSFET (1 Angebot)

MOSFET

Vishay

SIP32431DR3-T1GE3

ab € 0,23*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,9A; Idm: 31A; 42W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: un...

Vishay

SIHFR120TRL-GE3

ab € 0,33*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W (1 Angebot)

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 29,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 86W Polarisierung...

Nexperia

PSMN034-100BS,118

ab € 0,64*
pro Stück

Vishay SIR182LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 130 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 130 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8

Vishay

SIR182LDP-T1-RE3

ab € 1,58*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 30A; 48W; Power56 (1 Angebot)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 57mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung: unipola...

onsemi

FDMS86105

ab € 1,01*
pro Stück

Vishay SIHA22N60E-E3 MOSFET (1 Angebot)

MOSFET

Vishay

SIHA22N60E-E3

ab € 117,88*
pro 50 Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W (1 Angebot)

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 52,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbra...

Nexperia

BUK7Y19-100EX

ab € 0,67*
pro Stück

Vishay SIA817EDJ-T1-GE3 MOSFET (1 Angebot)

MOSFET

Vishay

SIA817EDJ-T1-GE3

ab € 0,133*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23,5A; 10,5W; TO262F (1 Angebot)

Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO262F Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 23,5A Widerstand im Leitungszustand: 9,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 10,...

Alpha & Omega Semiconductor

AOWF296

ab € 0,76*
pro Stück

Vishay SiA471DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30,3 A 19,2 W, 6-Pin PowerPAK SC-70 (1 Angebot)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 30,3 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-70 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ Channel-Modus = E...

Vishay

SiA471DJ-T1-GE3

ab € 0,18*
pro Stück

Vishay SIR188LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 93,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 93,6 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8

Vishay

SIR188LDP-T1-RE3

ab € 0,96*
pro Stück

Vishay SIHB055N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A D2PAK (TO-263) (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 46 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD

Vishay

SIHB055N60EF-GE3

ab € 190,83*
pro 50 Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2,9W; TO252 (1 Angebot)

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 11,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,9W Polarisi...

Diodes

DMT10H015SK3-13

ab € 0,39*
pro Stück

Vishay SIB4317EDK-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A PowerPAK SC-75 (1 Angebot)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-75 Montage-Typ = SMD

Vishay

SIB4317EDK-T1-GE3

ab € 0,24*
pro Stück

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