MOSFET  (14.319 Angebote unter 17.391.588 Artikeln)Zum Expertenwissen

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IRF8915TRPBF, Abfallzeit=3.6 ns, Anstiegzeit=12 ns, Ausschaltverzögerung=7.1 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds...

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3 V Transistormontage: Surface Mount Betriebstemperatur, max.: 150 °C Qualifikation: - Verlustleistung: 3.8 W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Kanaltyp: N ...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 85 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 1.2...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=NTA4153NT1G, Abfallzeit=7.6 ns, Anstiegzeit=4.4 ns, Ausschaltverzögerung=25 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)...

Bauform - Transistor: PowerPAK SO Dauer-Drainstrom Id: 4 A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V MSL: MSL 1 - Unlimited Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Surface Mount Q...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,2 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 37 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 2.6 ...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.4 A Produktpalette: Trench Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,2 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 120 mΩ Channel-Modus = Enhanceme...

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 1 A B...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=BSS87H6327FTSA1, Abfallzeit=27.3 ns, Anstiegzeit=3.5 ns, Ausschaltverzögerung=17.6 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannun...

Kanaltyp: N Channel Drain-Source-Spannung Vds: 20 V Dauer-Drainstrom Id: 5.7 A Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850 mV Drain-Source-Durchgangswiders...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...