MOSFET bei Mercateo günstig kaufen (Seite 930/1 729)

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Infineon IPL65R195C7 Transistor 650 V (3 Angebote)

Infineon

IPL65R195C7AUMA1

ab € 1,29*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A (1 Angebot)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 40W Polarisie...

ST Microelectronics

STF34NM60ND

ab € 3,35*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264 (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 240A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,2...

IXYS

IXFK240N15T2

ab € 13,64*
pro Stück

Infineon AUIRLR3410TRL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Infineon

AUIRLR3410TRL

ab € 1,44*
pro Stück

Infineon IPL65R230C7 Transistor 650 V (3 Angebote)

Infineon

IPL65R230C7AUMA1

ab € 1,2137*
pro Stück

Infineon BSC037N08NS5TATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 136 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 136 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Infineon

BSC037N08NS5TATMA1

ab € 1,64*
pro Stück

INFINEON IRF60DM206ATMA1 MOSFET, N-KANAL, 60V, 130A, DIRECTFET ME (1 Angebot)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022 ohm Produktpalette: StrongIRFET Series MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal ...

Infineon

IRF60DM206ATMA1

ab € 1,3498*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W (1 Angebot)

Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: LF (MO235B similar) Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 29mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 168W Polar...

SHINDENGEN

P25LF12SL-5071

ab € 0,49*
pro Stück

Infineon BSC040N10NS5SCATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 140 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 DSC (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 140 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 DSC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8

Infineon

BSC040N10NS5SCATMA1

ab € 6 291,00*
pro 4 000 Stück

Infineon IPP410N30N Transistor 300 V (3 Angebote)

Infineon

IPP410N30NAKSA1

ab € 3,96*
pro Stück

MOSFET, P-Kanal, -20V, -4.3A, SOT-23 (1 Angebot)

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IRLML2244TRPBF, Abfallzeit=25 ns, Anstiegzeit=12 ns, Ausschaltverzögerung=34 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds...

IRLML2244TRPBF

ab € 0,133*
pro Stück

Infineon AUIRFR5305TR P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Infineon

AUIRFR5305TR

ab € 2 269,72*
pro 2 000 Stück

Infineon IRF7341G Transistor 20 V (2 Angebote)

Infineon

IRF7341GTRPBF

ab € 0,75817*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 21A; Idm: 84A; 85W (1 Angebot)

Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 280V Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 85W Polarisi...

SHINDENGEN

P21F28HP2-5600

ab € 0,91*
pro Stück

Infineon BSC010N04LS6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 285 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 285 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Infineon

BSC010N04LS6ATMA1

ab € 4 349,30*
pro 5 000 Stück

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