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"MOSFET"

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NEXPERIA PMPB85ENEAX MOSFET AECQ101 N-KANAL 60V, 3A/DFN2020MD (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal D...
Nexperia
PMPB85ENEAX
ab € 0,09471*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 300V; 48A; Idm: 192A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polari...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M70BVFRG
ab € 14,85*
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Infineon CoolMOS IPW65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 22 A Drain-Source-Spannung max. = 700 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,11 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
Infineon
IPW65R110CFD7XKSA1
ab € 3,44*
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NEXPERIA PMZ290UNE2YL MOSFET, N-KANAL, 20V, 1.2A, SOT883-3 (1 Angebot) 
Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 1.2 A Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: SOT-883 Drain-Source-Spannung Vds: 20 V Verlustleistung: 35...
Nexperia
PMZ290UNE2YL
ab € 0,04522*
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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Montage...
IXYS
IXTA3N50P
ab € 1,28*
pro Stück
 
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NEXPERIA PMXB360ENEAZ MOSFET, N-KANAL, 80V, 1.1A, DFN-3 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal D...
Nexperia
PMXB360ENEAZ
ab € 0,08065*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVFRG
ab € 12,74*
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Infineon CoolMOS P7 IPB60R060P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 151 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,06 O Channel-Modus = ...
Infineon
IPB60R060P7ATMA1
ab € 4,00*
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NEXPERIA PSMN013-100BS,118 MOSFET, N-KANAL, 100V, 68A, TO-263 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal ...
Nexperia
PSMN013-100BS,118
ab € 0,85032*
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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5024BVRG
ab € 21,95*
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Infineon CoolMOS IPW65R125CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 19 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 19 A Drain-Source-Spannung max. = 700 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω Gate-Schwellenspannung m...
Infineon
IPW65R125CFD7XKSA1
ab € 3,15*
pro Stück
 
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NEXPERIA PSMN015-100B,118 MOSFET, N-KANAL, 100V, 75A, TO-263 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012 ohm Produktpalette: TrenchMOS MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n...
Nexperia
PSMN015-100B,118
ab € 1,01*
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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,85Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W Polarisierung: unipola...
IXYS
IXFH12N80P
ab € 3,58*
pro Stück
 
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NEXPERIA PMZ390UNEYL MOSFET, N-KANAL, 30V, 0.9A, SOT883-3 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal D...
Nexperia
PMZ390UNEYL
ab € 0,06872*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 300V; 40A; Idm: 160A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polari...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M85BVRG
ab € 10,71*
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