on semiconductor mosfet  (2.169 gefilterte Angebote unter 17.324.162 Artikeln)Zum Expertenwissen

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9 A Produktpalette: PowerTrench Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520 µohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 5 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Da...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-...

Strom Graben, FDBL0150N80, onsemi N-Kanal PowerTrench MOSFET, 80 V, 300 A, 1,4 mΩ Features * UIS-Fähigkeit * RoHS-konform Anwendungen * Industrieller Motorantrieb * Industrielle Stromversorgung * I...

Strom Graben, FDMS86255, onsemi Der FDMS86255 wird in einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt, der die Shielded Gate-Technologie beinhaltet. Dieser Prozess wurde für den On-State-Wi...

Strom Graben, FDMT1D3N08B, onsemi Der FDMT1D3N08B wird in einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt. Fortschritte in der Silizium- und Dual CoolTM-Gehäusetechnologie wurden kombiniert...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id...

NFET 40V 558A 0,45mOhm PQFN88 * Kleine Grundfläche (8x8 mm) für kompaktes Design * Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten * Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberver...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V Dauer-Drain...

Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 270 A Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 80 V Verlustleist...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - Produktpalette: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom...

N-Kanal-MOSFET, FDMS004N08C, ON Semiconductor Features * MOSFET-Technologie mit abgeschirmtem Gate * MAX RDSon = 4.0 mOhm @ VGS=10V, ID=44A * 50% geringere Qrr als andere MOSFET-Anbieter * Geringer...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.9 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V Dauer-Drain...

Strom Graben, FDMS8D8N15C, onsemi Die FDMS8D8N15C wird mit dem fortschrittlichen PowerTrench-Verfahren hergestellt, das die Shielded-Gate-Technologie beinhaltet. Dieser Prozess wurde optimiert, um ...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom...