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  SMD-Transistor  (11.099 Angebote unter 17.400.196 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 278A; Idm: 575A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 278A Widerstand im Leitungszustand: 6,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Vishay
SQJA16EP-T1_GE3
ab € 0,56193*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 200A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 56,8W Polarisierung:...
Vishay
SIR670DP-T1-GE3
ab € 2.260,35*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Vishay
SIDR626DP-T1-RE3
ab € 5.575,20*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 45V Drainstrom: 208A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Vishay
SIDR608DP-T1-RE3
ab € 0,92986*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 36,7A; Idm: 100A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 36,7A Widerstand im Leitungszustand: 12,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 21,6W Polarisi...
Vishay
SIS4604LDN-T1-GE3
ab € 0,3398*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 72,5A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 72,5A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung...
Vishay
SISS22DN-T1-GE3
ab € 0,602*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 22,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...
Vishay
SIA106DJ-T1-GE3
ab € 0,31846*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 117A Widerstand im Leitungszustand: 3,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69,4W Polarisierung...
Vishay
SIR182DP-T1-RE3
ab € 0,63886*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 42,8A; Idm: 100A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 42,8A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 39W Polarisierung: ...
Vishay
SIR4608DP-T1-GE3
ab € 0,37375*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 79,4A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 79,4A Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 57W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Vishay
SIJ186DP-T1-GE3
ab € 0,46784*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 165A; Idm: 300A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 165A Widerstand im Leitungszustand: 3,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...
Vishay
SIR626ADP-T1-RE3
ab € 3.000,00*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 130A; Idm: 300A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 3,85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung:...
Vishay
SIR182LDP-T1-RE3
ab € 0,70094*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 52,2A; Idm: 100A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 52,2A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33,3W Polarisieru...
Vishay
SIS184DN-T1-GE3
ab € 0,53022*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8,7A; Idm: 30A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 8,7A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 3,8W Polarisierun...
Vishay
SI7414DN-T1-GE3
ab € 0,67378*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art:...
Vishay
SQ7414CENW-T1_GE3
ab € 0,40*
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