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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 52,2A; Idm: 100A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIS184DN-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIS184DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 1212-8
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 52,2A
Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 33,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 32nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 100A
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, smd transistor
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