mosfet vishay  (2.117 gefilterte Angebote unter 17.399.759 Artikeln)Zum Expertenwissen

Bauform - Transistor: TO-262 Transistormontage: Through Hole Produktpalette: - Kanaltyp: N Channel Verlustleistung: 125 W Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55 ohm SVHC: Lead Drain-Source-Spannun...

Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Dauer-Drainstrom Id: 1.2 A Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8 ohm Bauform - Transistor: TO-220 Verlustleistung: 30 W Betriebstemperatur, max.: 150 °C Produktpalette: - M...

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 V Bauform - Transistor: TO-220 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05 ohm Betriebstemperatur,...

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V Produktpalette: - Drain-Source-Spannung Vds: 60 V Qualifikation: - Verlustleistung: 50 W Kanaltyp: N Channel Dauer-Drainstrom Id: 37 A Bauform - Transistor:...

Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Dauer-Drainstrom Id: 3.8 A Kanaltyp: N Channel SVHC: Lead Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V Drain-Source-Durchgangswider...

Drain-Source-Spannung Vds: 40 V Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) MSL: MSL 1 - Unlimited Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Dauer-Drainstrom Id: 3 A Anzahl der Pins: 3 Pi...

Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Produktpalette: - MSL: - Dauer-Drainstrom Id: 15 A Drain-Source-Spannung Vds: 600 V Transistormontage: Through Hole Verlustleistung: 34 W Kanaltyp: N Channel Drain-Source-...

Betriebstemperatur, max.: 150 °C Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083 ohm Produktpalette: - Verlustleistung: 278...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal D...

Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075 ohm SVHC: Lead MSL: MSL 1 - Unlimited Produktpalette: - Drain-Source-Spannung Vds: 40 V Trans...

Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 60 V Verlustleistung: 2.5 W Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V SVHC: Lead (10-Jun-2022) Rds(on)-Prüfspannung: 1...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V Dauer-Drain...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drain...

MOSFET NFET en Reihe IRF. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF540, TO220AB, Vishay Siliconix

N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiHP25N40D, 450 V, 170 mOhm, 25 A, 88 nC, TO...