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| Artikel-Nr.: 1331N-1867178 Herst.-Nr.: SI2318DS-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Drain-Source-Spannung Vds: 40 V Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) MSL: MSL 1 - Unlimited Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDauer-Drainstrom Id: 3 AAnzahl der Pins: 3 Pin(s)Betriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036 ohmKanaltyp: N Channel Verlustleistung: 750 mWBauform - Transistor: SOT-23 Produktpalette: - Transistormontage: Surface Mount Qualifikation: - RoHS konform: JaHinweis: Detailbild zum Produkt kann vom Original abweichen. |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet-transistor 3a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2318DS-T1-GE3, 1867178, 186-7178 |
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