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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2,4A; 0,48W; SOT23

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-SI2318DS-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2318DS-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 2,4A
Widerstand im Leitungszustand: 58mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,48W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 10nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

... > FET-Transistoren > N-Kanal-Transistoren > N-Kanal-Transistoren SMD

Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet-transistor 3a

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