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VISHAY SUD09P10-195-GE3 MOSFET, P-KANAL, DIODE, 100V 8.8A TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-1859014
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUD09P10-195-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 8.8 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 2.5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 V
  • SVHC: Lead (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, vishay diode, igbt, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SUD09P10-195-GE3, 1859014, 185-9014
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