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VISHAY SUD09P10-195-GE3 MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C, Ch


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331N-2918685
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUD09P10-195-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • MSL: -
  • Qualifikation: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Produktpalette: -
  • Kanaltyp: P Channel
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162 ohm
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • SVHC: Lead
  • Verlustleistung: 32.1 W
  • Dauer-Drainstrom Id: 8.8 A
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • Transistormontage: Surface Mount
  • RoHS konform: Keine Angaben

    • Hinweis: Detailbild zum Produkt kann vom Original abweichen.

    Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, vishay diode, igbt, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SUD09P10-195-GE3, 2918685, 291-8685
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