50er Pack Infineon Technologies BF999 MOSFET 1 N-Kanal 200mW TO-236-3

Infineon Technologies BF999 MOSFET 1 N-Kanal 200mW TO-236-3

MOSFET-Tetrode (8 mm-Gurt) .

Typ: BF999
Gehäuse: TO-236-3
Hersteller: Infineon Technologies
Herst.-Abk.: INF
Ausführung: N-Kanal
I(d): 30 mA
U: 20 V
Leistung (max) P(TOT): 200 mW
U(GS)(th) max.: 12 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 10 mA
C(ISS): 2.5 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
U(DSS): 20 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Produkt-Art: MOSFET
Hersteller-Nr.: BF999
EAN: - - - - - - - - -
Ausgangs-Signal: Digital
Ausführung: Für wechselnde Magnetfelder, loaded-Version
Stromaufnahme: 50 mA