ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11015G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington

Typ: MJ11015G
Gehäuse: TO-3
Hersteller: ON Semiconductor
Herst.-Abk.: OnS
Kategorie: Transistor (BJT) - diskret
Kanäle: 1
Ausführung: PNP - Darlington
Collector-Strom I(C): -30 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -120 V
VCE Sättigung (max.): -4 V
Kollektor Reststrom I(CES): -1 mA
Leistung (max) P(TOT): 200 W
DC Stromverstärkung (hFE): 1000
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -20 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V
Transitfrequenz f(T): 4 MHz
Montageart: Durchführungsloch
Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret
Hersteller-Nr.: MJ11015G
EAN: - - - - - - - - -
Breite: 64 mm
Höhe: 64 mm
Tiefe: 40 mm
Polzahl: 2