10er Pack Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-Kanal 3.8W TO-263-3

Typ: IRF5305
Gehäuse: TO-263-3
Hersteller: Infineon Technologies
Herst.-Abk.: INF
Ausführung: P-Kanal
I(d): 31 A
Leistung (max) P(TOT): 3.8 W
R(DS)(on): 60 m?
R(DS)(on) Referenz-Strom: 16 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) max.: 4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
Q(G): 63 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
C(ISS): 1200 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
U(DSS): 55 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Produkt-Art: MOSFET
Rth max.: 1.4 °C/W
Hersteller-Nr.: IRF5305
EAN: - - - - - - - - -
Ausführung: "Hockey-Puck" Standard-Industriegehäuse