IXYS IXFP180N10T2 MOSFET 1 N-Kanal 480W TO-220AB

Typ: IXFP180N10T2
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: IXYS
Herst.-Abk.: IXY
Ausführung: N-Kanal
I(d): 180 A
U: 100 V
Leistung (max) P(TOT): 480 W
R(DS)(on): 6 m?
R(DS)(on) Referenz-Strom: 50 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) max.: 4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
Q(G): 185 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
C(ISS): 10500 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Serie: GigaMOS™ + HiPerFET™ + TrenchT2™
Transistor-Merkmal: Standard
U(DSS): 100 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Produkt-Art: MOSFET
Hersteller-Nr.: IXFP180N10T2
EAN: - - - - - - - - -
Schlüsselweite: 28.0 mm