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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-1056538
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     SMBT2907AE6327HTSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor pnp
Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Wandlerpolarität: PNP
  • Übergangsfrequenz: 200 MHz
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Dauer-Kollektorstrom: 600 mA
  • DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hFE
  • Verlustleistung: 330 mW
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor sot-23, (BJT), Bipolare, Dioden, Einzelne, Gleichrichter, Schichttransistoren, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, SMBT2907AE6327HTSA1, 1056538, 105-6538
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