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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
1331-1317099

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STD2HNK60Z-1

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4 ohm

Produktpalette: -

MSL: -

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Durchsteckmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 2 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-251AA

Drain-Source-Spannung Vds: 600 V

Verlustleistung: 45 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75 V

SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 2a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STD2HNK60Z-1, 1317099, 131-7099

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