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ONSEMI FDN352AP MOSFET, P-KANAL, SMD, 3-SUPERSOT


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-1467977
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDN352AP
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 1.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SuperSOT
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 500 mW
  • Qualifikation: -
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 1,3 a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDN352AP, 1467977, 146-7977
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