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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.34 ohm, TUMT, Oberflächenmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     1331-1525600
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     US5U3TR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
leistungs-mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 5 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 1.5 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TUMT
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 700 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, US5U3TR, 1525600, 152-5600
    Die Konditionen im Überblick1
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