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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 1.4 ohm, EMT, Oberflächenmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-1680363
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RSE002P03TL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 200 mA
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: EMT
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 150 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RSE002P03TL, 1680363, 168-0363
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