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VISHAY SI1317DL-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, DIODE, 20V, 1.4A SOT323


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2056676
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI1317DL-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
vishay diode
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 1.4 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-323
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 500 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450 mV
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: diode, diode sot 323, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI1317DL-T1-GE3, 2056676, 205-6676
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