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Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.095 ohm


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2251956
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDC6333C
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V
  • Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5 A
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5 A
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095 ohm
  • Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095 ohm
  • Verlustleistung, n-Kanal: 960 mW
  • Verlustleistung, p-Kanal: 960 mW
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SuperSOT
  • Qualifikation: -
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ONSEMI, FDC6333C, 2251956, 225-1956
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