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| Artikel-Nr.: 1331-2283683 Herst.-Nr.: SIRA12DP-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 25 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 31 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA12DP-T1-GE3, 2283683, 228-3683 |
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