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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.00197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     1331-2311245
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN2R6-60PS
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
leistungs-mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00197 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 150 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220AB
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 326 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PSMN2R6-60PS, 2311245, 231-1245
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