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VISHAY SI1032X-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 20V, 5R, 0.2A, SC-89


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2335273
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI1032X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 200 mA
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SC-89
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 300 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 mV
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI1032X-T1-GE3, 2335273, 233-5273
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