Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
1331-2443495

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
BCR35PNH6327XTSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Produktpalette: BCR35PN Series

MSL: MSL 3 - 168 Stunden

Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm

Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm

Anzahl der Pins: 6 Pins

Transistormontage: Oberflächenmontage

Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOT-363

Dauer-Kollektorstrom: 100 mA

DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 hFE

Verlustleistung: 250 mW

Qualifikation: AEC-Q101

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 V

Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 V

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor npn, smd transistor, transistor infineon, Bipolare, digitale, Dioden, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Vorgespannte, INFINEON, BCR35PNH6327XTSA1, 2443495, 244-3495

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