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ONSEMI FDS3572 MOSFET, N-KANAL, 80V, 8.9A, SOIC-8


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2453413
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS3572
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 8.9 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Drain-Source-Spannung Vds: 80 V
  • Verlustleistung: 2.5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDS3572, 2453413, 245-3413
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