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| Artikel-Nr.: 1331-2724362 Herst.-Nr.: NJD35N04T4G EAN/GTIN: k.A. |
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 | Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150 °CVerlustleistung, NPN: 45 WBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Verlustleistung, PNP: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - Übergangsfrequenz, NPN: 90 MHzÜbergangsfrequenz, PNP: - Qualifikation: - SVHC: Lead (27-Jun-2024) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 350 VKontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4 AKontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300 hFERoHS konform: Keine Angaben |
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 | Weitere Suchbegriffe: Transistor Array, smd-transistor npn, smd transistor, transistor array on semiconductor, (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NJD35N04T4G, 2724362, 272-4362 |
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