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| Artikel-Nr.: 1331-2774845 Herst.-Nr.: NSS40302PDR2G EAN/GTIN: k.A. |
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 | Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150 °CVerlustleistung, NPN: 783 mWBauform - Transistor: SOIC Verlustleistung, PNP: 783 mWDC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200 hFEÜbergangsfrequenz, NPN: 100 MHzÜbergangsfrequenz, PNP: 100 MHzQualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40 VKollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40 VKontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3 AKontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3 ADC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200 hFERoHS konform: Ja |
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 | Weitere Suchbegriffe: Transistor Array, smd-transistor npn, smd transistor, transistor array on semiconductor, (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NSS40302PDR2G, 2774845, 277-4845 |
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