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STMICROELECTRONICS A1P25S12M3 IGBT, MODUL, N-KANAL, 1.2KV, 25A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2832451
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     A1P25S12M3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Produktpalette: ACEPACK 1 M
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 25 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • IGBT-Anschluss: Lötanschluss
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95 V
  • Verlustleistung: 197 W
  • SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
  • IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, A1P25S12M3, 2832451, 283-2451
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